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Modeling RF MOSFETs after Electrical Stress using Low-Noise Microstrip Line Layout

Par Conseil national de recherches du Canada

AuteurRechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
ConférenceRadio Frequency Integrated Circuits Symposium 2005, 2005
Numéro NPARC12346730
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Identificateur de l’enregistrementf4077f52-a64c-498a-8dda-ff4510cdafed
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2020-04-16
Date de modification :