Modeling RF MOSFETs after Electrical Stress using Low-Noise Microstrip Line Layout

Auteur	Rechercher : McAlister, Sean¹; Rechercher : Kao, H.; Rechercher : Chin, A.; Rechercher : Lai, J.; Rechercher : Lee, C.; Rechercher : Chiang, K.
Affiliation	Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Conférence	Radio Frequency Integrated Circuits Symposium 2005, 2005
Numéro NPARC	12346730
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Identificateur de l’enregistrement	f4077f52-a64c-498a-8dda-ff4510cdafed
Enregistrement créé	2009-09-17
Enregistrement modifié	2020-04-16

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