RF passive devices on Si with excellent performance, close to ideal devices designed by electro-magnetic simulation

Par Conseil national de recherches du Canada

Autre titreIEEE Int’l Electron Device Meeting Technical Digest
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
TypeArticle
ConférenceIEEE Int’l Electron Device Meeting, 2003
Volume375
AffiliationInstitut des sciences des microstructures du CNRC; Conseil national de recherches Canada
Publications évaluées par des pairsNon
Numéro NPARC3539221
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Identificateur de l’enregistrementbb431d21-f8a3-44c2-9656-11baec684532
Enregistrement créé2009-03-01
Enregistrement modifié2016-05-09
Date de modification :