RF passive devices on Si with excellent performance, close to ideal devices designed by electro-magnetic simulation
RF passive devices on Si with excellent performance, close to ideal devices designed by electro-magnetic simulation
| Autre titre | IEEE Int’l Electron Device Meeting Technical Digest |
|---|---|
| Auteur | Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : |
| Affiliation |
|
| Format | Texte, Article |
| Conférence | IEEE Int’l Electron Device Meeting, 2003 |
| Numéro NPARC | 3539221 |
| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
| Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
| Identificateur de l’enregistrement | bb431d21-f8a3-44c2-9656-11baec684532 |
| Enregistrement créé | 2009-03-01 |
| Enregistrement modifié | 2020-04-16 |
Détails de la page
Par :
- Date de modification :