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Photoluminescence study of initial interdiffusion of SiGe/Si quantum wells grown by ultrahigh vacuum-chemical vapor deposition

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.117609
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Sujetannealing; CVD; diffusion; germanium silicides; interface structure; photoluminescence; quantum wells; silicon; strains
Résumé
SiGe quantum wells were grown at 525 °C using a commercially available, ultrahigh vacuum–chemical vapor deposition system, in which the purity of the material and quality of interfaces have already been demonstrated. Changes in photoluminescence line energies are monitored and the extent of interdiffusion in the wells during annealing is calculated. A strong initial enhancement of the diffusivity is observed in as-grown material. Material annealed using a two-step process in which strain and Ge peak concentrations are unchanged after the first (low temperature) step, shows a much lower interdiffusion during the second step. It is argued that strain alone cannot explain the enhanced interdiffusion, which is, thus, attributed to grown-in, nonequilibrium point defects.
Date de publication
Dans
  • Applied Physics Letters 69, nº 10 (septembre 1996) : 1444–1446.
Langueanglais
Numéro du CNRCNRC-INMS-1123
Numéro NPARC5763471
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Identificateur de l’enregistrementb1a33b57-8703-455a-87c4-d4ee95652628
Enregistrement créé2009-03-29
Enregistrement modifié2020-03-20
Date de modification :