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The peak and average temperature in a self-heated GaN HFET

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1016/j.sse.2006.11.001
AuteurRechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
  • Solid State Electronics 51, nº 1 (2007) : 142–146.
Numéro NPARC12744832
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Identificateur de l’enregistrementafe30469-33f3-4a07-8e42-e11355dcb384
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-05-10

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