Gadolinium oxide and amorphous silicate films deposited on Si(100) by electron-beam evaporation: stability and diffusion

Auteur	Rechercher : Landheer, D.¹; Rechercher : Gupta, J. A.¹; Rechercher : Wu, X.¹; Rechercher : Sproule, G. I.¹; Rechercher : Moisa, S.¹; Rechercher : Quance, T.¹; Rechercher : Graham, M. J.¹; Rechercher : Baumvol, I. J. R.; Rechercher : Morais, J.; Rechercher : Lennard, W. N.
Affiliation	Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Conférence	Materials Research Society Workshop Series: International Workshop on Devices Technology: Alternatives to SiO2 as Gate Dielectric for Future Si-Based Microelectronics, 3-5 September 2001
Langue	anglais
Numéro NPARC	12346177
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Identificateur de l’enregistrement	9a955279-55ed-4dc8-9a67-2f024bd4d93d
Enregistrement créé	2009-09-17
Enregistrement modifié	2020-04-16

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