| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.75.866 |
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| Auteur | Rechercher : Houghton, D. C.1; Rechercher : Aers, G. C.1; Rechercher : Yang, S.-R. Eric; Rechercher : Wang, E.2; Rechercher : Rowell, N. L.2 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
- Conseil national de recherches Canada. Institut des étalons nationaux de mesure du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | We present experimental verification of a type I conduction band alignment for coherently strained Si1-xGex layers in (001) silicon, with 0.15?x?0.38. A novel substrate bending scheme is used to apply in-plane uniaxial compressive and tensile stress along the [100] and [110] directions. Band edge photoluminescence from SiGe and Si is shifted with stress in accordance with deformation potential theory. Tensile stress along [110] allows clear distinction between types I and II band alignment where the predicted shifts are in opposite directions. |
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| Date de publication | 1995-07-31 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Numéro NPARC | 12328370 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 9793c82e-e478-49d9-b668-bc7e80ae4462 |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-29 |
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