Comparison of ion implantation aroaches in the fabrication of AlGaN/GaN HFETs: classical vs through the gate metal

Auteur	Rechercher : DiSanto, D.; Rechercher : Maher, H.; Rechercher : Bolognesi, C.; Rechercher : Webb, James¹
Affiliation	Conseil national de recherches Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
Format	Texte, Article
Conférence	IPAP Conference Series 1, 2000, Tokyo
Date de publication	v. 2000
Numéro NPARC	5212406
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Identificateur de l’enregistrement	8c5fb574-c501-447c-8880-fa21421e2fd8
Enregistrement créé	2008-12-02
Enregistrement modifié	2024-12-19

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