| Téléchargement | - Voir le manuscrit accepté : Comparison of Ion Implantation Aroaches in the Fabrication of AlGaN/GaN HFETs: Classical vs Through the Gate Metal (PDF, 1.8 Mio)
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| Auteur | Rechercher : DiSanto, D.; Rechercher : Maher, H.; Rechercher : Bolognesi, C.; Rechercher : Webb, James1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Conférence | IPAP Conference Series 1, 2000, Tokyo |
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| Numéro NPARC | 5212406 |
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| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
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| Identificateur de l’enregistrement | 8c5fb574-c501-447c-8880-fa21421e2fd8 |
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| Enregistrement créé | 2008-12-02 |
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| Enregistrement modifié | 2024-03-01 |
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