| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.326386 |
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| Auteur | Rechercher : Corkum, P.B.1; Rechercher : Alcock, A.J.1; Rechercher : Leopold, K.E.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches Canada
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | Electron beams - Applications; Infrared radiation - Transmission; Lasers, carbon dioxide - Fusion Applications; Semiconductor materials |
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| Résumé | An electron beam has been used to control the transmission of 10.6-μm radiation in Ge, ZnSe, and CdTe samples. With an ∼2.5-A/cm2 20-ns pulse of ∼110-keV electrons incident on the semiconductor, the transmission falls abruptly, recovering in approximately the recombination time of the semiconductor. Carrier-absorption cross sections at 10.6 μm have been determined for CdTe and ZnSe. Semiconductor transmission switching provides a broad-bandwidth active isolator which may find applications in high-gain CO 2 laser systems. |
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| Date de publication | 1979 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 21276158 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 8b48fd5c-a97e-4796-ae88-95b5601a51e7 |
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| Enregistrement créé | 2015-09-28 |
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| Enregistrement modifié | 2020-03-13 |
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