A new KOH-based UV assisted wet etching technique and its alication to AlGaN/GaN HFET fabrication and characterization

Auteur	Rechercher : Maher, H.; Rechercher : DiSanto, D.; Rechercher : Soerensen, G.; Rechercher : Bolognesi, C.; Rechercher : Webb, James¹
Affiliation	Conseil national de recherches Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
Format	Texte, Article
Conférence	International Workshop on Nitride Semiconductors, 2000
Date de publication	2000
Maison d’édition	Institute of Pure and Applied Physics
Dans	Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors (2000) : 965–968.
Série	IPAP Conf Series, nº 1.
Langue	anglais
Numéro NPARC	12346331
Exporter la notice	Exporter en format RIS
Signaler une correction	Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet)
Identificateur de l’enregistrement	8a31afe4-6bdf-45ec-a2a5-8d9404c06f93
Enregistrement créé	2009-09-17
Enregistrement modifié	2020-12-18