Photoluminescence in UHV-CVD-grown Si[1-x]Ge[x] quantum wells on Si(100): band alignment variation with excitation density and applied uniaxial stress
Photoluminescence in UHV-CVD-grown Si[1-x]Ge[x] quantum wells on Si(100): band alignment variation with excitation density and applied uniaxial stress
| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1016/S0040-6090(98)00466-0 |
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| Format | Texte, Article |
| Date de publication | 1998-05-26 |
| Dans | |
| Langue | anglais |
| Numéro du CNRC | NRC-INMS-1115 |
| Numéro NPARC | 5764357 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 8058f970-ff3d-48ed-addd-383cd1099f61 |
| Enregistrement créé | 2009-03-29 |
| Enregistrement modifié | 2020-03-20 |
- Date de modification :