Optical properties of GaInAsSb/InAs epilayers grown by liquid phase epitaxy

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1117/12.190759
Auteur	Rechercher : Gong, X. Y.; Rechercher : Yamaguchi, T.; Rechercher : Kan, H.; Rechercher : Makino, T.; Rechercher : Nakatsukasa, T.; Rechercher : Kaneko, Y.; Rechercher : Aoyama, M.; Rechercher : Rowell, N. L.; Rechercher : Wang, A. E.; Rechercher : Rinfret, R.
Commanditaire	Rechercher : SPIE
Format	Texte, Article
Conférence	Second International Conference on Thin Film Physics and Applications, April 15-17, 1994, Shanghai, China
ISSN	0277-786X
ISBN	0819417084
Langue	anglais
Numéro du CNRC	NRC-INMS-1093
Numéro NPARC	5765062
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Identificateur de l’enregistrement	730cfc20-4e33-4b58-b1f1-d093413dc670
Enregistrement créé	2009-03-29
Enregistrement modifié	2020-04-16

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