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Selective excitation of the photoluminescence and the energy levels of ultrasmall InGaAs/GaAs quantum dots

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.112060
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher :
FormatTexte, Article
SujetENERGY LEVELS; ENERGYLEVEL DENSITY; GALLIUM ARSENIDES; INDIUM ARSENIDES; NANOSTRUCTURES; PHOTOLUMINESCENCE; QUANTUM DOTS; SIZE EFFECT
Résumé
The energy levels of nanometer size InGaAs quantum dots epitaxially grown on GaAs by the coherent islanding effect are probed using selectively excited photoluminescence (PL), and PL excitation. A lateral-confinement-induced interlevel spacing of ~30 meV between the first two states can be deduced from the spectra.
Date de publication
Dans
  • Applied Physics Letters 65, nº 11 (1994) : 1388–1390.
Langueanglais
Publication du CNRC
Cette publication n’est pas du CNRC

Ce sont des publications qui ont été rédigées par un auteur du CNRC, mais avant que celui-ci soit employé du CNRC.

Numéro NPARC12327613
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Identificateur de l’enregistrement40910852-4f63-4335-a834-6c96fcd7a385
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-04-27
Date de modification :