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Influence of crystalline Defects on Transport Properties of GaN Grown by Ammonia-Molecular Beam Epitaxy and Magnetron Sputter Epitaxy

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1007/s11664-000-0061-0
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 2; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
  • Journal of Electronic Materials 29, nº 3 (2000) : 268–273.
Numéro NPARC12339016
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Identificateur de l’enregistrementfeb9ff23-2696-4a30-b5f8-bc2059e4aabc
Enregistrement créé2009-09-11
Enregistrement modifié2020-03-26

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