The optimalisation of the GaN and GaN/AlGaN hetero-junctions on bulk crystals using plasma-assisted molecular beam epitaxy

Auteur	Rechercher : Skierbiszewski, C.; Rechercher : Wasilewski, Zbigniew¹; Rechercher : Siekacz, M.; Rechercher : Feduniewicz, A.; Rechercher : Pastuszka, B.; Rechercher : Grzegory, I.; Rechercher : Leszczynski, M.; Rechercher : Porowski, S.
Affiliation	Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Conférence	E-MRS 2003 Fall Meeting, Symposium C, 37865, Warsaw, Poland
Numéro NPARC	12346664
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Identificateur de l’enregistrement	fda51e81-0f34-42e9-9ab4-5915ab1ec6d9
Enregistrement créé	2009-09-17
Enregistrement modifié	2020-04-16

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