Microcavity light emitting diodes based on GaN membranes grown by molecular beam epitaxy on silicon

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1143/JJAP.42.118
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Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
Numéro NPARC12744217
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Identificateur de l’enregistrementf70ae53f-ddc5-455e-8222-a376802fbb6b
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-04-02

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