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Gate-controlled quantum dots in monolayer WSe₂

Par Conseil national de recherches du Canada

Autre titreGate-controlled quantum dots in monolayer WSe2
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DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/5.0062838
AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 2Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0001-5727-2953; Rechercher : Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0003-3701-8119; Rechercher : ; Rechercher : 1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-7712-7187; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-9677-5403; Rechercher : Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0003-4505-1998; Rechercher : ; Rechercher : Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0001-9537-4600; Rechercher : 1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-1929-2715
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Technologies de sécurité et de rupture
  2. Conseil national de recherches Canada. Électronique et photonique avancées
FormatTexte, Article
Sujetquantum computing; quantum information; 2D materials; heterostructures; Coulomb blockade; quantum confinement; quantum state; field effect transistors; quantum dots; semiconductors
Résumé
Quantum confinement and manipulation of charge carriers are critical for achieving devices practical for quantum technologies. The interplay between electron spin and valley, as well as the possibility to address their quantum states electrically and optically, makes two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides an emerging platform for the development of quantum devices. In this work, we fabricate devices based on heterostructures of layered 2D materials, in which we realize gate-controlled tungsten diselenide (WSe₂) hole quantum dots. We discuss the observed mesoscopic transport features related to the emergence of quantum dots in the WSe₂ device channel, and we compare them to a theoretical model.
Date de publication
Maison d’éditionAIP
Licence
Dans
  • Applied Physics Letters 119, nº 13 (28 septembre 2021) : 1–5.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
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Identificateur de l’enregistrementef4b3b40-79c9-4eed-b850-0c3852e4927e
Enregistrement créé2022-02-18
Enregistrement modifié2022-02-22
Date de modification :