| Téléchargement | - Voir le manuscrit accepté : Photoluminescence and Raman scattering in axial Si/Ge nanowire heterojunctions (PDF, 610 Kio)
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| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.3240595 |
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| Auteur | Rechercher : Chang, H.-Y.; Rechercher : Tsybeskov, L.; Rechercher : Sharma, S.; Rechercher : Kamins, T.I.; Rechercher : Wu, X.1; Rechercher : Lockwood, D. J.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | In crystalline, dislocation-free, Si/Ge nanowire axial heterojunctions grown using the vapor-liquid-solid technique, photoluminescence and Raman spectroscopy reveal a SiGe alloy transition layer with preferential chemical composition and strain. In addition to the lattice mismatch, strain in Si/Ge nanowires is observed from a temperature dependent study to be affected by the difference in Si and Ge thermal expansion. The conclusions are supported by analytical transmission lectron microscopy measurements. |
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| Date de publication | 2009 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 21276869 |
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| Identificateur de l’enregistrement | ee4a74cd-330a-4477-aad2-204d173cc9a3 |
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| Enregistrement créé | 2015-10-27 |
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| Enregistrement modifié | 2020-06-04 |
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