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A study of the temperature sensitivity of GaAs-(Al,Ga)As multiple quantum-well GRINSCH lasers

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1109/2944.401201
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Sujetaluminium compounds; diffusion; drift-diffusion equations; GaAs-(Al,Ga)As multiple quantum-well GRINSCH lasers; GaAs-AlGaAs; gallium arsenide; gradient index optics; GRINSCH; III-V semiconductors; laser theory; MQW lasers; multiple quantum-well; optimum number; quantum well lasers; quantum well number; semiconductor device models; sensitivity; temperature sensitivity; temperature-dependent factors; temperature-dependent model; well-number behavior
Résumé
We have measured the temperature sensitivity, T0, of GaAs-(Al,Ga)As, GRINSCH, multiple quantum-well (MQW) lasers with different numbers of quantum wells ranging from one to ten. Our data suggests that there is an optimum number of wells, namely five, where T 0 is highest. Using a temperature-dependent model based on drift-diffusion equations, we have systematically analyzed the temperature sensitivity of a MQW GaAs-(Al, Ga)As laser. The T0 versus well-number behavior observed experimentally is verified, and the important temperature-dependent factors are identified
Date de publication
Dans
  • Selected Topics in Quantum Electronics, IEEE Journal of 1, nº 2 (1995) : 230–233.
Langueanglais
Numéro NPARC12327982
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Identificateur de l’enregistremente9b506c7-7ffe-4fdc-b837-7c35685816ca
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-04-29

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