Visible luminescence from semiconductor quantum dots in large ensembles

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.115175
Auteur	Rechercher : Leon, R.; Rechercher : Fafard, S.; Rechercher : Leonard, D.; Rechercher : Merz, J. L.; Rechercher : Petroff, P. M.
Format	Texte, Article
Sujet	epitaxy; photoluminescence spectroscopy; transmission electron microscopy
Résumé	Visible luminescence has been obtained from ensembles of defect‐free, InxAl(1−x)As islands of ultrasmall dimensions embedded in AlyGa(1−y)As cladding layers. These structures were grown by molecular beam epitaxy and studied with low‐temperature photoluminescence (PL) and transmission electron microscopy. Visible luminescence is produced using various compositions of InxAl(1−x)As/AlyGa(1−y)As. Quantum dot size distributions, planar densities, dot heights, and wetting layer thicknesses are presented and correlated with the PL spectra.
Date de publication	1995-07-24
Maison d’édition	AIP
Dans	Applied Physics Letters 67, nº 4 : 521–523.
Langue	anglais
Publications évaluées par des pairs	Oui
Publication du CNRC	Cette publication n’est pas du CNRC Ce sont des publications qui ont été rédigées par un auteur du CNRC, mais avant que celui-ci soit employé du CNRC.
Numéro NPARC	12328149
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Identificateur de l’enregistrement	e8cdbe64-b98d-407d-b6f9-1f90ac9badb6
Enregistrement créé	2009-09-10
Enregistrement modifié	2020-04-29

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