Selection and Jump Rules in Electronic Raman Scattering from GaAs/AlxGa1-xAs Artifical Atoms
Selection and Jump Rules in Electronic Raman Scattering from GaAs/AlxGa1-xAs Artifical Atoms
| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1103/PhysRevB.71.241311 |
|---|---|
| Auteur | Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : 2 |
| Affiliation |
|
| Format | Texte, Article |
| Date de publication | 2005 |
| Dans | |
| Langue | anglais |
| Publications évaluées par des pairs | Oui |
| Numéro NPARC | 12744864 |
| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
| Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
| Identificateur de l’enregistrement | d1bc0acb-88ee-45a6-9b5c-f3b294b5caed |
| Enregistrement créé | 2009-10-27 |
| Enregistrement modifié | 2020-04-07 |
Détails de la page
Par :
- Date de modification :