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Gouvernement du Canada / Government of Canada

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Controlled growth of silicon oxide nanowires from a patterned reagent

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1021/jp0675476
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut national de nanotechnologie
FormatTexte, Article
Résumé
A new process to fabricate silicon oxide nanowires (NWs) from a patterned reagent is reported. Arrays of NWs grow on patterned nanodots containing exposed hydrogen silsesquioxane (HSQ)/Fe-SiO2 nanocomposites during annealing at 900 C. The NWs were seeded by metallic iron nanoparticles, and the resulting microstructure and morphology of the NWs is directly related to the size of the individual iron nanoparticles. The growth process could be dominated by a solid-state transformation mechanism in which iron nanoparticles, originally embedded in a SiO2 matrix, diffuse to the surface and act as nucleation sites, the exposed HSQ being the source for the growing NWs.
Date de publication
Dans
  • The Journal of Physical Chemistry C 111, nº 5 (13 janvier 2007) : 1865–1867.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12338694
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Identificateur de l’enregistrementd0988f24-28d3-4629-807c-8f3e59d9e678
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2020-05-10
Date de modification :