Controlled growth of silicon oxide nanowires from a patterned reagent

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1021/jp0675476
Auteur	Rechercher : Wang, Feng¹; Rechercher : Malac, Marek¹; Rechercher : Egerton, Ray F.¹; Rechercher : Meldrum, Alkiviathes; Rechercher : Li, Peng; Rechercher : Freeman, Mark R.¹; Rechercher : Veinot, Jonathan G. C.
Affiliation	Conseil national de recherches Canada. Institut national de nanotechnologie
Format	Texte, Article
Résumé	A new process to fabricate silicon oxide nanowires (NWs) from a patterned reagent is reported. Arrays of NWs grow on patterned nanodots containing exposed hydrogen silsesquioxane (HSQ)/Fe-SiO2 nanocomposites during annealing at 900 C. The NWs were seeded by metallic iron nanoparticles, and the resulting microstructure and morphology of the NWs is directly related to the size of the individual iron nanoparticles. The growth process could be dominated by a solid-state transformation mechanism in which iron nanoparticles, originally embedded in a SiO2 matrix, diffuse to the surface and act as nucleation sites, the exposed HSQ being the source for the growing NWs.
Date de publication	2007-01-13
Dans	The Journal of Physical Chemistry C 111, nº 5 (13 janvier 2007) : 1865–1867.
Langue	anglais
Publications évaluées par des pairs	Oui
Numéro NPARC	12338694
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Identificateur de l’enregistrement	d0988f24-28d3-4629-807c-8f3e59d9e678
Enregistrement créé	2009-09-10
Enregistrement modifié	2020-05-10

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