| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1109/ICIPRM.2002.1014493 |
|---|
| Auteur | Rechercher : Poole, P. J.1; Rechercher : Allen, C.Ni.1; Rechercher : Marshall, P.1; Rechercher : Fraser, J.1; Rechercher : Moisa, S.1; Rechercher : Raymond, S.1; Rechercher : Fafard, S.1 |
|---|
| Affiliation | - Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
|
|---|
| Commanditaire | Rechercher : IEEE Electron Devices Society; Rechercher : LEOS (IEEE) |
|---|
| Format | Texte, Article |
|---|
| Conférence | 14th Indium Phosphide and Related Materials Conference : IPRM, 12-16 May 2002, Stockholm, Sweden |
|---|
| Résumé | Quantum dot lasers containing five stacked layers of InAs quantum dots (QDs) embedded in quaternary InGaAsP are grown on [100] InP substrates. The QD ensemble has a density of 1.5 × 1010 cm-2 and emits light at ∼1.6 μm at 77 K. Lasing wavelength and threshold current density can be shifted by changing the cavity length of the laser diode and the latter reaches a value as low as 49 A/cm2 at 77 K for a gate size of 2000 μm × 150 μm. Temperature dependence of the threshold current is observed implying the presence of thermionic emission increasing with temperature. |
|---|
| Dans | |
|---|
| Langue | anglais |
|---|
| Numéro NPARC | 12346363 |
|---|
| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
|---|
| Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
|---|
| Identificateur de l’enregistrement | d09674a4-0593-4f24-88cc-b9a32ad50d52 |
|---|
| Enregistrement créé | 2009-09-17 |
|---|
| Enregistrement modifié | 2020-04-16 |
|---|
