Electric field-tuneable crossing of hole Zeeman splitting and orbital gaps in compressively strained germanium semiconductor on silicon

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DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1038/s43246-023-00431-x
AuteurRechercher : Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0001-7757-2187; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 2; Rechercher : 2Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-7712-7187
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Électronique et photonique avancées
  2. Conseil national de recherches Canada. Technologies de sécurité et de rupture
FormatTexte, Article
Sujetmaterials for devices; quantum physics
Résumé
Date de publication
Maison d’éditionSpringer Nature
Licence
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
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Identificateur de l’enregistrementcd1dafbd-0ab3-4a10-ad53-9c90b5df2cf9
Enregistrement créé2024-01-24
Enregistrement modifié2024-01-29

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