Quantum-well intermixing for optoelectronic integration using high energy ion implantation

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.359948
Auteur	Rechercher : Charbonneau, S.¹; Rechercher : Poole, P. J.¹; Rechercher : Piva, P. G.¹; Rechercher : Aers, G. C.¹; Rechercher : Koteles, E. S.¹; Rechercher : Fallahi, M.¹; Rechercher : He, J.-J.¹; Rechercher : McCaffrey, J. P.¹; Rechercher : Buchanan, M.¹; Rechercher : Dion, M.¹; Rechercher : Goldberg, R. D.; Rechercher : Mitchell, I. V.
Affiliation	Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Sujet	absorption spectra; fabrication; gallium arsenides; heterostructures; indium arsenides; integrated optics; ion implantation; lasers; optoelectronic devices; photoluminescence; quantum wells
Résumé	The technique of ion-induced quantum-well (QW) intermixing using broad area, high energy (2–8 MeV As4+) ion implantation has been studied in a graded-index separate confinement heterostructure InGaAs/GaAs QW laser. This approach offers the prospect of a powerful and relatively simple fabrication technique for integrating optoelectronic devices. Parameters controlling the ion-induced QW intermixing, such as ion doses, fluxes, and energies, post-implantation annealing time, and temperature are investigated and optimized using optical characterization techniques such as photoluminescence, photoluminescence excitation, and absorption spectroscopy.
Date de publication	1995-06-07
Dans	Journal Of Applied Physics 78, nº 6 (7 juin 1995) : 3697–3705.
Langue	anglais
Numéro NPARC	12333596
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Identificateur de l’enregistrement	cbd67fca-bd55-4420-b172-9e84dfa6bff5
Enregistrement créé	2009-09-10
Enregistrement modifié	2020-04-29

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Par :

Conseil national de recherches Canada

Date de modification :: 2026-03-13