Infrared Dielectric Properties of In1-xGaxAs Epilayers on InP100

Autre titre	Progress in compound semiconductor materials III: electronic and optoelectronic applications
Auteur	Rechercher : Rowell, N.; Rechercher : Yu, G.; Rechercher : Lockwood, David¹; Rechercher : Poole, Philip¹
Éditeur	Rechercher : Friedman, Daniel; Rechercher : Manasreh, Omar; Rechercher : Buyanova, Irina; Rechercher : Munkholm, Anneli; Rechercher : Auret, F.
Affiliation	Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Date de publication	2004
Maison d’édition	MRS
Emplacement	Pittsburgh, PA
Dans	Progress in Compound Semiconductors III: Electronic and Optoelectronic Applications : 179–.
Série	MRS Symposium Proceedings, nº 799.
Numéro NPARC	12346291
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Identificateur de l’enregistrement	cb091a65-ab54-4561-bf09-0d1e362e13ad
Enregistrement créé	2009-09-17
Enregistrement modifié	2020-05-08

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