| Téléchargement | - Voir la version finale : Characterizing ultrashort pulses with photon energies above 1.12 eV based on transient absorption in silicon thin films (PDF, 1.7 Mio)
- Voir les données supplémentaires : Characterizing ultrashort pulses with photon energies above 1.12 eV based on transient absorption in silicon thin films (PDF, 954 Kio)
|
|---|
| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1088/2515-7647/ad9cdb |
|---|
| Auteur | Rechercher : Kumar, MayankIdentifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-9237-1567; Rechercher : Mokhtari, Saadat1; Rechercher : Guay, Tristan; Rechercher : Leblanc, AdrienIdentifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-5894-6611; Rechercher : Oubrerie, KostaIdentifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-6676-6856; Rechercher : A. Jalil, Sohail1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-3149-6374; Rechercher : Haddad, Elissa; Rechercher : Jargot, Gaëtan; Rechercher : Lassonde, Philippe; Rechercher : Ibrahim, HeideIdentifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0001-6371-8501; Rechercher : Vampa, Giulio1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0001-8492-3408; Rechercher : Légaré, FrançoisIdentifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-3065-7156 |
|---|
| Affiliation | - Conseil national de recherches Canada. Quantique et nanotechnologies
|
|---|
| Bailleur de fonds | Rechercher : Fonds de recherche du Québec. Nature et technologies; Rechercher : Natural Sciences and Engineering Research Council of Canada; Rechercher : Canada Foundation for Innovation; Rechercher : PROMPT |
|---|
| Format | Texte, Article |
|---|
| Sujet | pulse characterization; silicon; frequency-resolved optical switching; transient absorption |
|---|
| Résumé | Frequency-resolved optical switching (FROSt) is a phase-matching-free characterization technique for ultrashort pulses based on transient absorption in semiconductors. So far, this technique has been limited to characterizing pulses with photon energies smaller than the bandgap of the semiconductors used. In this work, we extend the method to characterize pulses of photon energy greater than the bandgap of the semiconductor used for characterization. We demonstrate this by characterizing ultrashort visible pulses and supercontinuum using silicon (Si) thin films deposited on a sapphire substrate. We also demonstrate that visible light sources up to a repetition rate of 250 kHz can be characterized using these samples. Therefore, this study highlights the potential of FROSt as a suitable technique for the temporal characterization of weak visible to infrared pulses, including high harmonics generated in solids. |
|---|
| Date de publication | 2024-12-19 |
|---|
| Maison d’édition | IOP |
|---|
| Licence | |
|---|
| Dans | |
|---|
| Langue | anglais |
|---|
| Publications évaluées par des pairs | Oui |
|---|
| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
|---|
| Signaler une correction | Signaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet) |
|---|
| Identificateur de l’enregistrement | c5e9063a-752e-402b-b71f-37aaf5d48479 |
|---|
| Enregistrement créé | 2025-06-05 |
|---|
| Enregistrement modifié | 2025-12-18 |
|---|
