Planar InGaP/GaAs HBTs for high speed optoelectronic circuit applications

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1049/el:19970015
Auteur	Rechercher : Driad, R.; Rechercher : Desrousseaux, P.; Rechercher : Duchenois, A.; Rechercher : Alexandre, F.; Rechercher : Launay, P.
Format	Texte, Article
Sujet	10 Gbit/s; 18 GHz; 50 GHz; 70 GHz; CBE regrowth; decision circuit; dynamic frequency divider; extrinsic base layers; high speed integrated circuits; InGaP-GaAs; lightwave communications; OEIC; optoelectronic circuit applications; planar InGaP/GaAs HBTs; selective chemical beam epitaxial; self-aligned HBT fabrication process; subcollector layers
Résumé	A fully planar self-aligned HBT fabrication process based on selective chemical beam epitaxial (CBE) regrowth of both the extrinsic base and subcollector layers is reported. Using this technology, cutoff frequencies of 50 and 70 GHz for fT and fmax, respectively, have been achieved for In0.49Ga0.51P/GaAs HBTs with 9 � 4 �m2 emitter-base junction area. High speed integrated circuits for lightwave communications including a 10 Gbit/s decision circuit and an 18 GHz dynamic frequency divider were successfully fabricated using these planar HBTs.
Date de publication	1997-01-02
Dans	Electronics Letters 33, nº 1 (2 janvier 1997) : 85–86.
Langue	anglais
Publication du CNRC	Cette publication n’est pas du CNRC Ce sont des publications qui ont été rédigées par un auteur du CNRC, mais avant que celui-ci soit employé du CNRC.
Numéro NPARC	12327756
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Identificateur de l’enregistrement	c3cecfd3-7112-41eb-b245-515d4b7716d7
Enregistrement créé	2009-09-10
Enregistrement modifié	2020-03-20

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Par :

Conseil national de recherches Canada

Date de modification :: 2026-03-11