| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.118320 |
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| Auteur | Rechercher : Ershov, M.; Rechercher : Liu, H.; Rechercher : Buchanan, Margaret1; Rechercher : Wasilewski, Zbigniew1; Rechercher : Ryzhii, V. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | aluminium compounds; gallium arsenide; infrared detectors; photoconductivity; photodetectors; photoexcitation; semiconductor quantum wells |
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| Résumé | Nonlinear photoconductivity effects at high excitation power in quantum well infrared photodetectors (QWIPs) are studied both experimentally and theoretically. The photoconductivity nonlinearity is mainly caused by a redistribution of the electric potential at high power, which leads to a decrease of electric field in the bulk of the QWIP. As a result of the decreased field, the photoexcited electron escape probability and drift velocity decrease resulting in a decrease of responsivity. |
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| Date de publication | 1997-01-27 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 12339196 |
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| Identificateur de l’enregistrement | c10251f2-fad9-4f0c-b5b4-32ab393247ac |
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| Enregistrement créé | 2009-09-11 |
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| Enregistrement modifié | 2023-05-10 |
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