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Gouvernement du Canada / Government of Canada

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Compositional Redistribution in Coherent Si1-xGex Islands on Si(100)

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1109/TNANO.2007.891818
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
SujetAlloy; coherent growth; dots; Ge; islands; Raman spectroscopy; Si; strain; transmission electron microscopy; X-ray diffraction
Résumé
Coherent Si1-x Gex island growth by molecular beam epitaxy is studied for a fixed growth temperature but for different Ge concentrations in the range 0.37 <= x <=0.56. A combined transmission electron microscopy, X-ray diffraction, and Raman spectroscopy characterization of the samples showed that during growth the Ge migrates towards the center of the large islands to minimize the strain energy, while maintaining epitaxial growth, and that the most uniform structures are obtained at higher Ge composition when the built-in strain is also higher.
Date de publication
Dans
  • IEEE Transactions on Nanotechnology 6, nº 2 (2007) : 245–249.
Numéro NPARC12744869
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Identificateur de l’enregistrementbbeab85a-01c8-4fcc-a085-913cf7e83e6e
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-05-10
Date de modification :