| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.4939754 |
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| Auteur | Rechercher : Cheriton, Ross; Rechercher : Wilkins, Matthew M.; Rechercher : Sharma, Pratibha; Rechercher : Valdivia, Christopher E.; Rechercher : Trojnar, Anna H.; Rechercher : Schriemer, Henry; Rechercher : Hinzer, Karin; Rechercher : Gupta, James1; Rechercher : Bouzazi, Boussairi; Rechercher : Kolhatkar, Gitanjali; Rechercher : Boucherif, Abderraouf; Rechercher : Jaouad, Abdelatif; Rechercher : Fafard, Simon; Rechercher : Aimez, Vincent; Rechercher : Arès, Richard |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches Canada. Technologies de l'information et des communications
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | Carrier mobility; Photovoltaic cells; Concentrator photovoltaic systems; Design optimization; Drift-diffusion simulation; Germanium substrates; Lattice-matched; Material systems; Realistic materials; Sun illumination; Solar cells |
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| Résumé | The InGaAsN(Sb) material system is an attractive candidate for use in lattice-matched four-junction (4J) solar cells based on germanium substrates. Design optimizations for an InGaAsN(Sb) subcell are proposed for optimal power conversion efficiency within a 4J solar cell under a highly concentrated AM1.5D solar spectrum. The performance of the subcell is modeled using drift-diffusion simulations using Crosslight Apsys. An InGaAsN(Sb) test subcell was fabricated to obtain realistic materials parameters for the optimization of subcell performance. A thin InGaAsN(Sb) subcell is suggested for operation at 1000 Sun illumination intensities at low carrier lifetimes and mobilities. |
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| Date de publication | 2016-01-08 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 21277459 |
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| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
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| Identificateur de l’enregistrement | b35d0e37-a5a3-4534-9c5f-64aca9836510 |
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| Enregistrement créé | 2016-03-09 |
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| Enregistrement modifié | 2020-03-16 |
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