| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1364/OL.383757 |
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| Auteur | Rechercher : González-Andrade, DavidIdentifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0003-4402-877X; Rechercher : Guerber, Sylvain; Rechercher : Durán-Valdeiglesias, Elena; Rechercher : Pérez-Galacho, Diego; Rechercher : Le Roux, Xavier; Rechercher : Vulliet, Nathalie; Rechercher : Cremer, Sébastien; Rechercher : Monfray, Stephane; Rechercher : Cassan, Eric; Rechercher : Marris-Morini, Delphine; Rechercher : Boeuf, Frédéric; Rechercher : Cheben, Pavel1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0003-4232-9130; Rechercher : Vivien, Laurent; Rechercher : Velasco, Aitor V.; Rechercher : Alonso-Ramos, Carlos |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches Canada. Électronique et photonique avancées
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | Silicon nitride (SiN) waveguides provide a substantially lower index contrast, thermo-optic coefficient, and reduced birefringence compared to silicon-on-insulator waveguides. These properties make SiN a prominent candidate for implementation of ultra-wideband dual-polarization photonics circuits with a great potential for datacom applications. State-of-the-art SiN power splitters are still hampered in terms of either bandwidth or single-polarization operation. Here, we propose to overcome these limitations by exploiting modal and waveguide symmetry engineering in a single-mode slot waveguide. This topology prevents mode-beating, while granting symmetric power splitting for both polarizations. Experimental characterization of the fabricated device shows low loss (<0.62 dB) and imbalance (<0.6 dB) within an unprecedented bandwidth of 420 nm (1.26–1.68 µm). |
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| Date de publication | 2019-12-17 |
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| Maison d’édition | OSA Publishing |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Identificateur de l’enregistrement | acb33dd6-0762-46ec-92e9-257c47600078 |
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| Enregistrement créé | 2020-07-09 |
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| Enregistrement modifié | 2021-09-17 |
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