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Low-frequency noise gain and photocurrent gain in quantum well infrared photodetectors

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.371624
AuteurRechercher : ; Rechercher :
FormatTexte, Article
Sujetelectron-hole recombination; infrared detectors; photoconductivity; photodetectors; quantum well devices; semiconductor device models; semiconductor device noise
Résumé
We present a theory of the low-frequency noise gain gn and photocurrent gain gp in quantum well infrared photodetectors (QWIPs). Expressions for gn and gp in terms of QW capture probability pc and number of QWs N are obtained. These expressions are valid for any number of QWs N>=1 and capture probability 0<pc<=1. The difference of noise gain from photocurrent gain is due to the discrete structure of generation�recombination centers (QWs) in QWIP. The ratio gn/gp ranges from 0.5 (for pc-->1) to 1 (for pc-->0). QWIP is well described by a conventional photoconductor theory in the case of low capture probability pc-->1, which corresponds to practical QWIPs. The assumptions of the model are discussed in detail, and a comparison with previously published results is made.
Date de publication
Dans
  • Journal of Applied Physics 86, nº 11 (1 décembre 1999) : 6580–6585.
Langueanglais
Publication du CNRC
Cette publication n’est pas du CNRC

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Numéro NPARC12329035
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Identificateur de l’enregistrement9eb30695-918d-4231-b8b9-6471f0ad8a60
Enregistrement créé2009-09-10
Enregistrement modifié2023-04-17
Date de modification :