Sélection de la langue

Gouvernement du Canada / Government of Canada

Recherche

Time resolved single dopant charge dynamics in silicon

Par Conseil national de recherches du Canada

Téléchargement
  1. (PDF, 526 Kio)
DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1038/ncomms13258
AuteurRechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : 2; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut national de nanotechnologie
  2. Conseil national de recherches du Canada. Technologies de sécurité et de rupture
FormatTexte, Article
Résumé
As the ultimate miniaturization of semiconductor devices approaches, it is imperative that the effects of single dopants be clarified. Beyond providing insight into function and limitations of conventional devices, such information enables identification of new device concepts. Atomically resolved, electronic pump-probe scanning tunneling microscopy permits unprecedented, quantitative measurement of time-resolved single dopant ionization dynamics. Tunneling through the surface dangling bond makes feasible what would otherwise be too weak a signal to observe. We introduce a time-resolved scanning-tunneling-spectroscopy method whereby current measurements are made before the system of study relaxes or adjusts to accommodate an applied field. Distinct ionization and neutralization rates of a single dopant are measured and the physical process controlling those are identified.
Date de publication
Maison d’éditionNature
Dans
  • Nature Communications 7, nº 1, 13258.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21277127
Exporter la noticeExporter en format RIS
Signaler une correctionSignaler une correction (s'ouvre dans un nouvel onglet)
Identificateur de l’enregistrement974ae38e-1d43-488e-bd23-069b92ec266c
Enregistrement créé2015-12-07
Enregistrement modifié2020-06-09
Date de modification :