| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1557/PROC-533-235 |
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| Auteur | Rechercher : Rowell, N. L.1; Rechercher : Williams, R. L.2; Rechercher : Aers, G. C.2; Rechercher : Lafontaine, H.; Rechercher : Houghton, D. C.; Rechercher : Brunner, K.; Rechercher : Eberl, K.; Rechercher : Schmidt, O.; Rechercher : Winter, W. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches Canada. Institut des étalons nationaux de mesure du CNRC
- Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Commanditaire | Rechercher : MRS |
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| Format | Texte, Article |
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| Conférence | 1998 MRS Spring Meeting - Symposium FF – Epitaxy & Applications of Si-Based Heterostructures, 13-17 April 1998, San Francisco, California, USA |
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| Résumé | Recent low-temperature photoluminescence (PL) studies will be discussed for coherent Si1-xGex. and Si1-xGexCy alloy multiple quantum wells on Si (001) substrates grown by either ultra-high vacuum chemical vapour deposition or solid source molecular beam epitaxy. An in-plane applied-stress technique will be described which removes systematically band edge degeneracies revealing the lower, PL-active CB. Applied-stress data taken with this technique at ultra-low excitation intensity proved intrinsic type II CB alignment in SiGe on Si (001). Apparent type I alignment observed at higher intensity will also be discussed. New applied stress PL results are presented for Si1-x-yGexCy quantum wells under various grown-in stress condition |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro du CNRC | NRC-INMS-1195 |
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| Numéro NPARC | 8899590 |
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| Exporter la notice | Exporter en format RIS |
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| Identificateur de l’enregistrement | 95b4f0e2-58ac-4cb2-afc9-30b603a49284 |
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| Enregistrement créé | 2009-04-22 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-16 |
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