| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.2357162 |
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| Auteur | Rechercher : Dion, C.1; Rechercher : Poole, P. J.1; Rechercher : Raymond, S.1; Rechercher : Desjardins, P.; Rechercher : Schiettekatte, F. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | This paper examines the influence of rapid thermal annealing on the photoluminescence spectra of self-assembled InAs/InP(001) quantum dots capped with 760 nm InP deposited at a reduced temperature. The capping layer contained a large concentration of point defects that can promote interdiffusion upon annealing. The onset temperature for measurable blueshift in the emission spectra was found to be ∼ 600 °C whereas shifts of 270 meV were obtained after annealing at 750 °C for 300 s. Gradual etching of the InP capping layer enabled to progressively quench energy shifts upon annealing, a promising result for spatially selective emission tuning. |
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| Date de publication | 2006-09-25 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Numéro NPARC | 12744020 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 92134919-926f-4418-9864-103926203ab7 |
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| Enregistrement créé | 2009-10-27 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-22 |
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