| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1109/GROUP4.2006.1708170 |
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| Auteur | Rechercher : Lockwood, D. J.1; Rechercher : Wu, X.1; Rechercher : Baribeau, J.-M.1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Conférence | 3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, 13-15 September 2006 |
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| Résumé | In this paper, the study of alloy composition on SiGe island growth by MBE under similar conditions has shown that the Ge migrates towards the center of the large islands to maintain epitaxial growth and that the most uniform structures are obtained at higher Ge composition when the built-in strain is also higher |
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| Date de publication | 2006 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Numéro NPARC | 12346234 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 8e439a3d-000b-4b95-b15c-7cddc41a1aa3 |
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| Enregistrement créé | 2009-09-17 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-22 |
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