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Structural characterization of partially relaxed InAlSb epitaxial epilayers grown on InSb substrates

AuteurRechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Conférence22nd International Conference on the Physics of Semiconductors, Vancouver, B.C., Canada, August 15-19, 1994
Date de publication
Dans
  • 22nd International Conference on the Physics of Semiconductors 2 (1995) : 1516–.
Langueanglais
Numéro NPARC12338847
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Identificateur de l’enregistrement7f98c8cc-f2bc-4115-9022-942805c8e1c2
Enregistrement créé2009-09-11
Enregistrement modifié2020-04-29

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