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Determining strain, chemical composition, and thermal properties of Si/SiGe nanostructures via raman scattering spectroscopy

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DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1149/osf.io/68puc
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 2
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Électronique et photonique avancées
  2. Conseil national de recherches Canada. Science des mesures et étalons
FormatTexte, Article
Description physique15 p.
Résumé
Studies by Raman spectroscopy of two kinds of Si/SiGe nanostructures—quantum dot multilayers and planar superlattices—reveal a wide variety of spectral features including first- and second-order Raman scattering, polarized Raman scattering, and low-frequency inelastic light scattering associated with folded acoustic phonons. Here we overview how such features can be employed to semi-quantitatively analyze the strain, chemical composition, and thermal conductivity in these industrially important materials that are widely used for producing electronic and optoelectronic devices.
Date de publication
Maison d’éditionECSarXiv
Dans
  • ECSarXiv Preprints.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsNon
Numéro NPARC23004216
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Identificateur de l’enregistrement76071b9f-bc78-477a-9036-2852a33a9f28
Enregistrement créé2018-10-12
Enregistrement modifié2020-05-30

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