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The Effect of IrO2-IrO2/Hf/LaAlO3 Gate Dielectric on the Bias-Temperature Instability of 3-D GOI CMOSFETs

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1109/LED.2005.848130
AuteurRechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : ; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
  • IEEE Electron Device Letters 26, nº 6 (2005) : 407–409.
Numéro NPARC12744299
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Identificateur de l’enregistrement75da39aa-8372-41b2-8155-25899244d286
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-04-07
Date de modification :