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Spin- and valley-dependent analysis of the two-dimensional low-density electron system in Si MOSFETs

Par Conseil national de recherches du Canada

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1103/PhysRevB.70.035308
AuteurRechercher : 1; Rechercher :
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Date de publication
Dans
  • Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics 70, nº 3 (2004) : 035308–.
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC12744697
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Identificateur de l’enregistrement69eb316e-3a28-449c-8829-7f663cc9f691
Enregistrement créé2009-10-27
Enregistrement modifié2020-04-17
Date de modification :