Dopant depth distribution effects on the gain profile of avalanche photodiodes fabricated by Zn diffusion

DOITrouver le DOI : https://doi.org/10.1364/NOMA.2020.NoTu2F.1
AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Électronique et photonique avancées
FormatTexte, Article
ConférenceNovel Optical Materials and Applications, July 13-16, 2020, Washington, DC
Sujetavalanche photodiodes; diffusion; electric fields; field enhancement; laser sources; scanning electron microscopy
Résumé
Date de publication
Maison d’éditionOSA
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
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Identificateur de l’enregistrement69e361f6-5b83-4423-914a-923fb001ba5f
Enregistrement créé2022-07-25
Enregistrement modifié2022-07-25

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