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Mg surface treatment for optimizing contact and bulk properties of p-type GaN grown by ammonia-molecularbeam epitaxy

Par Conseil national de recherches du Canada

AuteurRechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 2; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : 1; Rechercher : ; Rechercher : 3
Affiliation
  1. Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
  2. Conseil national de recherches Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC
  3. Conseil national de recherches Canada. Institut d'innovation en piles à combustible du CNRC
FormatTexte, Article
ConférenceSymposium on Nitride and Wide Bandgap Semiconductors, 2003
Date de publication
Maison d’éditionThe Electrochemical Society
Dans
  • Symposium on Nitride and Wide Bandgap Semiconductors [Proceedings] 2003-11 (2003) : 201–211.
Numéro NPARC12346193
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Identificateur de l’enregistrement6815d8ab-1bb1-4aea-9a73-299e52f1f195
Enregistrement créé2009-09-17
Enregistrement modifié2021-01-05
Date de modification :