| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.121037 |
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| Auteur | Rechercher : Dupont, Emmanuel1; Rechercher : McCaffrey, John2; Rechercher : Liu, H.; Rechercher : Buchanan, Margaret1; Rechercher : Yang, Rui; Rechercher : Lin, C-H; Rechercher : Zhang, Dongling3; Rechercher : Pei, S. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
- Conseil national de recherches Canada. Institut des étalons nationaux de mesure du CNRC
- Conseil national de recherches Canada. Initiative en génomique et en santé du CNRC
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | aluminium compounds; electroluminescent devices; gallium compounds; III-V semiconductors; indium compounds; light emitting diodes; semiconductor quantum wells |
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| Résumé | We demonstrate the cascade process in mid-infrared electroluminescent InAs/GaInSb/AlSb multi-quantum-well devices. We report the proportional relation between the emitted optical power and the number of periods. This observed scaling is associated with the sequential transport of electrons from one active region to the next situated downstream in potential energy through the injection region. Deviations from this exact scaling are correlated with the variation of the wafer-to-wafer structural quality. |
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| Date de publication | 1998-03-23 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 12327604 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 614408ff-f1fd-4684-be02-18ac4f83b2d8 |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2023-05-10 |
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