| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1088/1361-6641/abecab |
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| Auteur | Rechercher : Jiang, Weihong1Identifiant ORCID : https://orcid.org/0000-0002-7821-3837; Rechercher : Tang, Haipeng1; Rechercher : Bardwell, Jennifer A1 |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches Canada. Électronique et photonique avancées
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | normally-off; gallium nitride; HEMT; power electronics; MBE regrowth |
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| Résumé | In this paper, we report the fabrication of a normally-off AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) using an ultra-thin AlGaN barrier layer structure on Si (111) substrate. Additional AlGaN layers were selectively regrown only on the ohmic contact areas. The fabricated device exhibits a positive threshold voltage of 0.3 V, a maximum drain output current of 753 mA mm⁻¹ at gate voltage of +4 V, and low gate leakage of 1.2 × 10⁻⁷ A mm⁻¹. The selective area growth method shows a promising way to achieve normally-off GaN based HEMTs with very good performance. |
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| Date de publication | 2021-03-26 |
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| Maison d’édition | IOP |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Identificateur de l’enregistrement | 604823cd-6a76-4b6d-b44c-94c6ce8af53a |
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| Enregistrement créé | 2023-02-21 |
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| Enregistrement modifié | 2023-02-21 |
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