Positioned growth and spectroscopy of InP nanowires containing single InAsP quantum dots

Par Conseil national de recherches du Canada

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Affiliation
  1. Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
FormatTexte, Article
Conférence2011 Compound Semiconductor Week and 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, CSW/IPRM 2011, 22 May 2011 through 26 May 2011, Berlin
SujetAu particles; Catalyst-free; e-Beam lithography; Growth conditions; Growth modes; InP; InP wafers; Optical emissions; P-shell; Selective area growth; VLS growth; Catalysis; Catalysts; Chemical beam epitaxy; Indium phosphide; Nanowires; Semiconductor growth; Silicon compounds; Semiconductor quantum dots
Résumé
Date de publication
Dans
Langueanglais
Publications évaluées par des pairsOui
Numéro NPARC21271074
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Identificateur de l’enregistrement58981bec-fe52-48df-a59f-b53422c9dc85
Enregistrement créé2014-03-24
Enregistrement modifié2020-04-21
Date de modification :