| Téléchargement | - Voir le manuscrit accepté : Tuning the electrically evaluated electron Landé g factor in GaAs quantum dots and quantum wells of different well widths (PDF, 517 Kio)
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| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1103/PhysRevB.90.235310 |
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| Auteur | Rechercher : Allison, G.; Rechercher : Fujita, T.; Rechercher : Morimoto, K.; Rechercher : Teraoka, S.; Rechercher : Larsson, M.; Rechercher : Kiyama, H.; Rechercher : Oiwa, A.; Rechercher : Haffouz, S.1; Rechercher : Austing, D. G.2; Rechercher : Ludwig, A.; Rechercher : Wieck, A. D.; Rechercher : Tarucha, S. |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches Canada. Technologies de l'information et des communications
- Conseil national de recherches Canada
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| Format | Texte, Article |
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| Résumé | We evaluate the Landé g factor of electrons in quantum dots (QDs) fabricated from GaAs quantum well (QW) structures of different well width. We first determine the Landé electron g factor of the QWs through resistive detection of electron spin resonance and compare it to the enhanced electron g factor determined from analysis of the magnetotransport. Next, we form laterally defined quantum dots using these quantum wells and extract the electron g factor from analysis of the cotunneling and Kondo effect within the quantum dots. We conclude that the Landé electron g factor of the quantum dot is primarily governed by the electron g factor of the quantum well suggesting that well width is an ideal design parameter for g-factor engineering QDs. |
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| Date de publication | 2014-12-11 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro NPARC | 21275519 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 5866e9d8-d244-4cf3-9f80-6e71a61623d9 |
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| Enregistrement créé | 2015-07-14 |
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| Enregistrement modifié | 2020-06-04 |
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