| DOI | Trouver le DOI : https://doi.org/10.1116/1.1856466 |
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| Auteur | Rechercher : Malac, Marek1; Rechercher : Egerton, Ray; Rechercher : Freeman, Mark; Rechercher : Lau, June; Rechercher : Zhu, Yimei; Rechercher : Wu, Lijun |
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| Affiliation | - Conseil national de recherches du Canada. Institut national de nanotechnologie
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| Format | Texte, Article |
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| Sujet | electron beam lithography; nanolithography; sputter etching; transmission electron microscopy |
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| Résumé | Negative tone patterns were created by polymer-contamination writing in a transmission electron microscope. Typical line edge roughness of the polymer lines was found to be below 1 nm. The patterns were transferred to bismuth films using an anisotropic ion etch, resulting in final bismuth line edge roughness less than 2 nm. This low roughness was achieved by growing the bismuth film such that the same crystallographic planes were exposed to the etching flux of ions. |
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| Date de publication | 2005-01-21 |
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| Dans | |
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| Langue | anglais |
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| Publications évaluées par des pairs | Oui |
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| Numéro du CNRC | 128 |
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| Numéro NPARC | 12338129 |
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| Identificateur de l’enregistrement | 5705872c-f6ff-495a-97a1-aae0b8ae2d4b |
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| Enregistrement créé | 2009-09-10 |
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| Enregistrement modifié | 2020-04-07 |
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