Growth optimisation of the GaN layers and GaN/AlGaN heterojunctions on bulk GaN substrates using plasma-assisted molecular beam epitaxy

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1002/pssa.200303961
Auteur	Rechercher : Skierbiszewski, C.; Rechercher : Wasilewski, Zbigniew¹; Rechercher : Siekacz, M.; Rechercher : Feduniewicz, A.; Rechercher : Pastuszka, B.; Rechercher : Grzegory, I.; Rechercher : Leszczynski, M.; Rechercher : Porowski, S.
Affiliation	Conseil national de recherches du Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Date de publication	2004
Maison d’édition	Wiley
Dans	Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science 201, nº 2 : 320–323.
Langue	anglais
Publications évaluées par des pairs	Oui
Numéro NPARC	12743976
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Identificateur de l’enregistrement	54f27f24-fde5-4ed3-9616-bd046b4d7631
Enregistrement créé	2009-10-27
Enregistrement modifié	2020-04-17