Phonons and radiative recombination in self-assembled quantum dots

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1103/PhysRevB.52.5752
Auteur	Rechercher : Farfad, S.; Rechercher : Leon, R.; Rechercher : Leonard, D.; Rechercher : Merz, J. L.; Rechercher : Petroff, P. M.
Format	Texte, Article
Résumé	The radiative recombination of photocarriers has been studied in various self-assembled InxGa1-xAs/GaAs and AlxIn1-xAs/AlyGa1-yAs quantum dot samples, prepared with the spontaneous island formation during molecular-beam epitaxy. Depending on the relative values of the interlevel spacings and the phonon energies, some structures display strong enhancement of the photoluminescence for excitation energies permitting resonant phonon relaxations, or strong level filling and emission from the excited states with saturation of the ground states at higher excitation intensities.
Date de publication	1995-08-15
Dans	Physical Review. B, Condensed Matter and Materials Physics 52, nº 8 (15 août 1995) : 5752–5755.
Langue	anglais
Publication du CNRC	Cette publication n’est pas du CNRC Ce sont des publications qui ont été rédigées par un auteur du CNRC, mais avant que celui-ci soit employé du CNRC.
Numéro NPARC	12330042
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Identificateur de l’enregistrement	53bd8f02-743f-4934-98e2-4e1d1b669465
Enregistrement créé	2009-09-10
Enregistrement modifié	2020-04-29

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