Growth of high mobility GaN and AlGaN/GaN HFET structures on 4H-SiC by ammonia-molecular-beam epitaxy

DOI	Trouver le DOI : https://doi.org/10.1063/1.1379785
Auteur	Rechercher : Webb, James¹; Rechercher : Tang, Haipeng²; Rechercher : Bardwell, Jennifer²; Rechercher : Coleridge, P.
Affiliation	Conseil national de recherches Canada. Institut Steacie des sciences moléculaires du CNRC Conseil national de recherches Canada. Institut des sciences des microstructures du CNRC
Format	Texte, Article
Date de publication	2001
Dans	Applied Physics Letters 78, nº 24 (2001) : 3845–.
Langue	anglais
Publications évaluées par des pairs	Oui
Numéro NPARC	12328724
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Identificateur de l’enregistrement	51d0bea3-80ff-4cd0-892d-66786be4b20d
Enregistrement créé	2009-09-10
Enregistrement modifié	2023-05-10

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